新普京

W949D6CB芯谷芯片解密特征解析

2012-08-06 10:04

  芯谷科技长期专注于各类专用芯片解密、MCU解密、FPGA解密、PLD芯片解密、CPLD芯片解密、ARM芯片解密、软件解密、IC解密等较高难度新普京
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  Features
  Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
  Data width: x16
  Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
  Standard Self Refresh Mode
  PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
  Programmable output buffer driver strength
  Four internal banks for concurrent operation
  CAS Latency: 2 and 3
  Burst Length: 2、4 、8 and 16
  Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
  Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
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